A világ két legnagyobb NAND flash memórialapka gyártója szövetkezett, hogy kifejlesszenek egy új interfészt és adatátviteli módszert a NAND flash lapkákhoz. A DDR (Double Data Rate) NAND újabb specifikációi 400 mbps sávszélességet biztosítanak, amely jelentősen meghaladja a megelőzőleg a specifikációkban foglalt 133 mbps-t, így már tízszer gyorsabbak, mint az eddigi NAND chipekben alkalmazott 40 megabites illesztés.

A toggle-mode DDR becenévvel is illetett technológia riválisa az ONFI-nak (Open NAND Flash Interface), ami mögött az Intel, Micron Technology és SanDisk cégek állnak a nagyok közül (összesen mintegy 80 kisebb-nagyobb támogatója van). Az ONFI weboldalán jelenleg a DDR NAND-nál kisebb, 166 vagy 200 mbps átviteli teljesítményről olvashatunk. Mindkét interfész célja, hogy magasabb teljesítményt nyújthassanak az SSD-k, melyek - a NAND flash érdekkör reményei szerint - egy napon általánosan kiválthatják a merevlemezeket.

„Minkét implementáció hasonló teljesítmény szintet céloz" - véli Gregory Wong, a Forward Insight piackutató cég vezérigazgatója. „Az ONFI némi előnnyel indul, hiszen korábban kezdték a fejlesztését, de a toggle-mode DDR közelebb áll a standard aszinkron interfészekhez."

Wong szerint a két technológia elfogadottságát persze a kereslet kínálat befolyásolja majd, és mivel a Toshiba és a Samsung együtt a piac közel 70 százalékát szállítják, hát stratégiai előnyükkel élve felgyorsíthatják a DDR NAND terjedését.

Jim Handy, az Objective Analysis elemzője szerint a NAND-hoz fejlesztett gyorsabb interfészek fontosak, hiszen nem csak zenék, fotók és videók tárolására használatosak USB eszközökön, hanem adatfeldolgozásra (kiszolgálókban) is. A Toshiba és Samsung bejelentés azt mutatja, hogy a két cég megküzd a kompatibilitási kérdésekkel a toggle-mode DDR kapcsán.

A két vállalat arra számít, hogy a táblagépek, okostelefonok és SSD-k folyamatos térhódítása keresletet generál a nagy teljesítményű NAND lapkák irányába és a sebesség terén tett folyamatos előrelépések új terméktípusokat is érdekeltté tehetnek a NAND alkalmazásában.

A Samsung az előző hónapban jelentette be az egyik első SSD-t, amely DDR NAND flash memóriákból épül fel, az 512 gigabájtos eszköz legfeljebb 250 MB/S (megabájt másodpercenként) olvasási és 220 MB/s írási sebességgel dicsekedhet.