Az Intel jövő héten, a San Franciscó-i International Electron Devices (IEDM) rendezvényen ad részletesebb technikai információt a 32 nanométeres gyártási technológiáról. A 32 nanométeres technológia fejlesztésének lezárása és az a tény, hogy hamarosan gyártásra készen áll, azt jelenti, hogy az Intel továbbra is képes tartani az úgynevezett "tikk-takk stratégia" (tick-tock) stratégia ütemét, azaz a páros évben új processzor mikroarchitektúrát mutat be, a páratlan években új gyártási technológiát.
Az Intel 32 nanométeres eljárásnak leírása és prezentáció alapján egy olyan technológiáról van szó, amely magában foglalja a második generációs magas K együtthatós fémkapus technológiát, 193 nanométeres levilágítókat használ, amelyek fontosak a minták rajzolásához, illetve továbbfejlesztett tranzisztor-nyújtási technológiákat. Ezek a képességek megnövelik az Intel processzorok teljesítményét és energiahatékonyságát. Az iparág eddig bemutatott 32 nanométeres technológiái közül az Intel gyártási eljárása teszi lehetővé a legjobb tranzisztor-teljesítményt és a legmagasabb tranzisztor-sűrűséget.
Az Intel tranzisztorgenerációkat bemutató diája egy prezentációból. Működik a Tikk-Takk stratégia.
"Gyártási eljárásunk és az erre épülő termékeink segítettek nekünk abban, hogy kiterjesszük vezető szerepünket az Intel-alapú laptopok, szerverek és asztali gépek számítástechnikai teljesítménye és akkumulátor-élettartama terén" - mondta Mark Bohr, az Intel szenior munkatársa és az architektúrák gyártásáért és integrációjáért felelős igazgatója. "Ahogy ez évben megmutattuk, gyártási stratégiánk és a kivitelezés révén teljesen új termékcsaládokat mutathatunk be az MID szegmens, a szórakoztató-elektronikai berendezések, beágyazott komputerek és netbookok számára."
Más Intel IEDM publikációk olyan témákkal foglalkoznak, mint a vállalat 45 nanométeres félvezető eljárásának alacsony fogyasztású logikák, mint például integrált rendszerchipek (SoC, System-on-chip) előállítására optimalizált változata; félvezető vegyületekből felépülő tranzisztorok; a 45 nanométeres tranzisztorok teljesítményét fokozó szubsztrátum-fejlesztések; a 45 nanométeres generációtól kezdődően a kémiai-mechanikai csiszolás integrációja; valamint szilíciumból felépülő optikai modulátorok mátrixának integrációja.
